Электронные свойства полупроводниковых материалов Si, GaAs, InP, 3-4-6H-SiC, GaN, C (Diamond)

Свойства материала Единицы измерения Si GaAs
(AlGaAs/InGaAs)
InP
(InAlAs/InGaAs)
3C-SiC* 4H-SiC* 6H-SiC* GaN
(AlGaN/GaN)
C
(Diamond)
Ширина запрещённой зоны, Eg эВ при 300K 1.12 1.42 1.34 2.4 3.26 3 3.39 5.47
Подвижность электронов, In 300 К, см2/В*c 1500 8500 4600 1000 950 500 2000 2800
Подвижность дырок, Ip 300 К, см2/В*c 600 400 150 40 120 80 200 2100
Скорость дрейфа электронов при насыщении, vsat * 107 см/с 1.0 2.1 2.3 2.5 2.0 2.0 2.7 1.5-2.0
Критическое электрическое поле, Ec МВ/см 0.025 0.4 0.5 2.0 2.2 2.5 5.0 20.0
Коэффициент теплопроводности, K Вт/см*К
при 300 К
1.5 0.55 0.7 3.0-4.0 3.0-4.0 3.0-4.0 1.3 24.0
Диэлектрическая проницаемость, ε - 11.68 12.8 12.5 9.7 10 10 9.5 5.7
C FoM** - 1 8.5 21 - 250 - 660 75000

* 3C, 4H, 6H - предполагаемые кристаллические структуры SiC материалов
** C FoM (Combined Figure of Merit) - коэффициент качества материала по отношению к кремнию (Si - Silicon) для мощности и частоты